thermal 熱流儀在芯片可靠性測試中有著(zhù)一定的應用，能在多種測試場(chǎng)景發(fā)揮作用，同時(shí)具備多項優(yōu)勢，以下是具體介紹：
一、芯片可靠性測試的核心挑戰
隨著(zhù)芯片制程進(jìn)入3nm以下及封裝（如3D IC、Chiplet）技術(shù)的普及，芯片可靠性測試面臨更高要求：
嚴苛溫度耐受性：芯片需在-55℃~150℃范圍內穩定工作，且需承受快速溫變帶來(lái)的熱應力。
局部熱點(diǎn)風(fēng)險：高密度封裝下，功率芯片（如CPU、GPU）的局部溫度易引發(fā)電遷移或熱失效。
測試效率與成本：傳統溫箱測試周期長(cháng)，難以滿(mǎn)足快速迭代需求。
二、Thermal熱流儀在芯片測試中的核心應用
1. 溫度循環(huán)測試（Temperature Cycling）
測試目標：驗證芯片在嚴苛溫度交替下的機械穩定性（如焊點(diǎn)疲勞、分層缺陷）。
技術(shù)方案：熱流儀以50℃/min速率循環(huán)切換-55℃~125℃，模擬芯片在汽車(chē)電子或工業(yè)環(huán)境下的壽命。
2. 高溫老化測試（Burn-in）
測試目標：篩選早期失效芯片，提升量產(chǎn)良率。
技術(shù)方案：熱流儀在125℃下對芯片施加額定電壓，，加速電遷移與氧化失效。
3. 熱阻測試（Thermal Resistance, Rth）
測試目標：量化芯片結溫（Tj）與環(huán)境溫度（Ta）的熱傳導效率。
技術(shù)方案：熱流儀結合紅外熱像儀與熱電偶，實(shí)時(shí)監測結溫并計算。
4. 熱沖擊測試（Thermal Shock）
測試目標：驗證芯片在溫變下的抗裂性（如陶瓷封裝、硅通孔TSV結構）。
技術(shù)方案：熱流儀加熱實(shí)現-75℃→150℃切換，模擬芯片在航天器進(jìn)出大氣層的嚴苛環(huán)境。
多通道獨?控溫，可以具備單獨的溫度范圍、冷卻加熱能?、導熱介質(zhì)流量等，根據所需的溫度范圍選擇采?蒸汽壓縮制冷，或者采?ETCU?壓縮機換熱系統，系統可通?膨脹罐、冷凝器、冷卻?系統等，可以有效減少設備尺?，減少操作步驟。
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