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中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)發(fā)表最新Nature論文

熱門推薦: PeLED 金屬鹵化物鈣鈦礦 CsPbI3-xBr
來源:生物世界
  2025-05-09
5月7日,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)姚宏斌、樊逢佳、林岳、胡偉,中國科學(xué)院上海高等研究院鄭官豪杰作為共同通訊作者,在?Nature?期刊發(fā)表了研究論文。

       金屬鹵化物鈣鈦礦是下一代發(fā)光二極管(LED)的有前景的發(fā)光材料候選者。在純紅色鈣鈦礦發(fā)光二極管(PeLED)中同時實(shí)現(xiàn)高亮度和高效率是一個持續(xù)追求的目標(biāo)。三維CsPbI3-xBrx發(fā)射體具有出色的載流子傳輸能力和高色純度,這能夠?qū)崿F(xiàn)高效且超亮的純紅色 PeLED。然而,這類器件容易出現(xiàn)效率滾降現(xiàn)象,導(dǎo)致在高電流密度下效率低且亮度低。

       5 月 7 日,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)姚宏斌、樊逢佳、林岳、胡偉,中國科學(xué)院上海高等研究院鄭官豪杰作為共同通訊作者,在Nature期刊發(fā)表了題為:Intragrain 3D perovskite heterostructure for high-performance pure-red perovskite LEDs的研究論文。

       該研究揭示了純紅光鈣鈦礦發(fā)光二極管(PeLED)性能瓶頸的原因,進(jìn)而成功制備出高性能的純紅光鈣鈦礦LED。

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       在這項(xiàng)最新研究中,研究團(tuán)隊(duì)通過采用電激發(fā)瞬態(tài)吸收光譜技術(shù)(EETA),發(fā)現(xiàn)效率滾降是由空穴泄漏所導(dǎo)致的。在這一發(fā)現(xiàn)的基礎(chǔ)上,研究團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種含窄帶隙發(fā)射體和寬帶隙勢壘的CsPbI3-xBrx內(nèi)晶粒異質(zhì)結(jié)構(gòu),以限制注入的載流子。通過將強(qiáng)鍵合分子引入到[PbX6]4框架中,從而在三維的CsPbI3-xBrx晶格中引入了寬帶隙勢壘。

       這種策略造就了明亮且高效的純紅色鈣鈦礦發(fā)光二極管(PeLED),其亮度高達(dá) 24600 坎德拉/平方米,相比之前報道的純紅光三維鈣鈦礦 LED 提升了 3 倍;峰值外量子效率(EQE)為 24.2%,與頂級 OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)水平相當(dāng),效率衰減低,在 22670 坎德拉/平方米的高亮度下仍能保持 10.5% 的外量子效率。

       論文鏈接:https://www.nature.com/articles/s41586-025-08867-6

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